Momwe MOSFET imagwirira ntchito

Mfundo yogwirira ntchito ya MOSFET imachokera makamaka pamapangidwe ake apadera komanso zotsatira zamagetsi. Zotsatirazi ndikulongosola mwatsatanetsatane momwe ma MOSFET amagwirira ntchito:

 

I. Kapangidwe kake ka MOSFET

MOSFET imakhala makamaka ndi chipata (G), gwero (S), ngalande (D), ndi gawo lapansi (B, nthawi zina limalumikizidwa ndi gwero kuti lipange chida chachitatu). M'ma MOSFET opititsa patsogolo kanjira, gawo lapansili nthawi zambiri limakhala lamtundu wa P wa silicon pomwe zigawo ziwiri zamtundu wa N-zopangidwa kwambiri zimapangidwira kuti zikhale gwero ndi kukhetsa, motsatana. Pamwamba pa gawo lapansi lamtundu wa P limakutidwa ndi filimu yopyapyala kwambiri ya oxide (silicon dioxide) ngati wosanjikiza wotsekereza, ndipo electrode imakokedwa ngati chipata. Kapangidwe kameneka kamapangitsa kuti chipatacho chisatsekedwe kuchokera ku gawo la P-type semiconductor substrate, kukhetsa ndi gwero, motero amatchedwanso insulated-gate field effect chubu.

II. Mfundo ya ntchito

Ma MOSFET amagwira ntchito pogwiritsa ntchito magetsi a gate source (VGS) kuti azitha kuwongolera ma drain current (ID). Mwachindunji, mphamvu yamagetsi yamagetsi yamagetsi, VGS, ikakhala yokulirapo kuposa ziro, gawo lamagetsi lapamwamba komanso lotsika lopanda magetsi lidzawonekera pagawo la oxide pansi pa chipata. Malo amagetsiwa amakopa ma elekitironi aulere mu P-region, kuwapangitsa kudziunjikira pansi pa wosanjikiza wa okusayidi, pomwe akuthamangitsa mabowo ku P-region. Pamene VGS ikuwonjezeka, mphamvu ya magetsi imawonjezeka ndipo kuchuluka kwa ma elekitironi aulere kumawonjezeka. VGS ikafika pamtundu wina wamagetsi (VT), kuchuluka kwa ma elekitironi aulere omwe amasonkhanitsidwa m'derali kumakhala kokwanira kupanga chigawo chatsopano cha N-mtundu (N-channel), chomwe chimakhala ngati mlatho wolumikiza kukhetsa ndi gwero. Pakadali pano, ngati magetsi ena oyendetsa (VDS) alipo pakati pa kukhetsa ndi gwero, ID yapano imayamba kuyenda.

III. Kupanga ndi kusintha njira yoyendetsera

Kupanga njira yoyendetsera ndiye chinsinsi cha ntchito ya MOSFET. VGS ikakhala yayikulu kuposa VT, njira yoyendetsera imakhazikitsidwa ndipo ID yomwe ikukhetsa pano imakhudzidwa ndi VGS ndi VDS.VGS imakhudza ID poyang'anira m'lifupi ndi mawonekedwe a njira yoyendetsera, pomwe VDS imakhudza ID mwachindunji ngati voliyumu yoyendetsa. ndikofunikira kudziwa kuti ngati njira yoyendetsera siyinakhazikitsidwe (ie, VGS ndi yocheperako kuposa VT), ndiye kuti ngakhale VDS ilipo, ID yapano sikuwoneka.

IV. Makhalidwe a MOSFETs

Kulowetsa kwakukulu:Kulowetsedwa kwa MOSFET ndikokwera kwambiri, pafupi ndi infinity, chifukwa pali malo otchinga pakati pa chipata ndi dera lochokera kugwero komanso chipata chofooka chokha.

Low output impedance:Ma MOSFET ndi zida zoyendetsedwa ndi ma voltage momwe magwero amadzimadzi amatha kusintha ndi voliyumu yolowera, chifukwa chake kutulutsa kwawo kumakhala kochepa.

Kuyenda kosalekeza:Mukamagwira ntchito m'dera la saturation, MOSFET yamakono imakhala yosakhudzidwa ndi kusintha kwa magetsi a source-drain, omwe amapereka nthawi zonse.

 

Kukhazikika kwa kutentha kwabwino:Ma MOSFET ali ndi kutentha kwapakati pa -55 ° C mpaka +150 ° C.

V. Ntchito ndi magulu

Ma MOSFET amagwiritsidwa ntchito kwambiri m'mabwalo a digito, ma analogi, mabwalo amagetsi ndi magawo ena. Malingana ndi mtundu wa ntchito, ma MOSFET akhoza kugawidwa m'magulu owonjezera ndi kuchepetsa; kutengera mtundu wa mayendedwe, amatha kugawidwa kukhala N-channel ndi P-channel. Mitundu yosiyanasiyana ya MOSFET iyi ili ndi maubwino awo pamachitidwe osiyanasiyana ogwiritsira ntchito.

Mwachidule, mfundo yogwirira ntchito ya MOSFET ndikuwongolera mapangidwe ndi kusintha kwa njira yoyendetsera kudzera pamagetsi amagetsi a chipata, omwe amawongolera kutuluka kwa madzi. Kusakhazikika kwake kolowera, kutsika kwapang'onopang'ono, kukhazikika kwapano komanso kutentha kumapangitsa ma MOSFET kukhala gawo lofunikira pamabwalo apakompyuta.